IGBT транзистор AP25G45GEM для встроенных вспышек

Цоколевка igbt транзистора ap25g45gem
150 руб
В наличии

N-канальный IGBT транзистор AP25G45GEM, основные характеристики:

  • Тип корпуса: SO-8
  • Vces: 450 V
  • Icm: 150 A
  • Drive voltage (напряжение управления): 4.5 V

Упрощенная схема включения транзистора igbt транзистора ap25g45gem

Типовая схема включения igbt транзистора ap25g45gem

AP25G45GEM используется во встроенных вспышках цифровых фотоаппаратов.

Каталог электронных компонентов для ремонта встроенных вспышек интернет-магазина in-commerce.ru

Задать вопрос, Отправить комментарий, отзыв