Транзистор вспышки GT8G133

транзистор вспышки IGBT GT8G133 внешний вид и цоколевка
150 руб
Нет в наличии

IGBT GT8G133 транзистор для встроенных вспышек цифровых фотоаппаратов и зеркальных фотокамер. Транзистор вспышки имеет маркировку на корпусе 8G133.

GT8G133 - N-канальный кремниевый биполярный транзистор с изолированным затвором БТИЗ (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Toshiba.

Основные характеристики транзистора GT8G133:

  • Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE: 400 Вольт
  • Максимально допустимый ток коллектора (импульсный) ICP: 150 Ампер
  • Минимальное напряжение управление VGE: 4 Вольта

Возможно Вас заинтересует:
запчасти для внешних вспышек

Задать вопрос, Отправить комментарий, отзыв