Транзистор IPP041N12N3

mosfet транзистор ipp041n12n3 для вспышек и осветительного оборудования фотостудий
200 руб
В наличии

Полевой N-канальный МОП транзистор ipp041n12n3 выпускаются с маркировкой на корпусе 041N12N. Транзисторы используются в студийных вспышках (моноблоках) и в др. осветительном оборудовании для фотостудий.

Основные характеристики MOSfet транзистора ipp041n12n3

  • Структура: N Канал
  • Непрерывный ток стока: 120А
  • Напряжение истока-стока Vds: 120В
  • Сопротивление во включенном состоянии Rds (on): 0.0035 Ом
  • Напряжение измерения Rds (on): 10В
  • Пороговое напряжение: Vgs 3В
  • Рассеиваемая мощность: 300Вт
  • Производитель: Infineon Technologies

Добавить комментарий