Полевой N-канальный МОП транзистор ipp041n12n3 выпускаются с маркировкой на корпусе 041N12N. Транзисторы используются в студийных вспышках (моноблоках) и в др. осветительном оборудовании для фотостудий.
Основные характеристики MOSfet транзистора ipp041n12n3
- Структура: N Канал
- Непрерывный ток стока: 120А
- Напряжение истока-стока Vds: 120В
- Сопротивление во включенном состоянии Rds (on): 0.0035 Ом
- Напряжение измерения Rds (on): 10В
- Пороговое напряжение: Vgs 3В
- Рассеиваемая мощность: 300Вт
- Производитель: Infineon Technologies