Нажмите на фото, чтобы увеличить
Запчасти для вспышек и света
Транзистор вспышки GT8G133
150 ₽
Под заказ
- ✓ Проверено в мастерской перед отправкой
- ✓ Поможем сверить партномер и совместимость
- ✓ Отправка СДЭК или Почтой России
- ✓ Самовывоз в Москве (После подтверждения заказа)
Характеристики
| Артикул | IN-0365 |
|---|---|
| Категория | Запчасти для вспышек и света |
| Наличие | Под заказ |
| Состояние | Под заказ, срок уточняется |
Описание
IGBT GT8G133 транзистор для встроенных вспышек цифровых фотоаппаратов и зеркальных фотокамер. Транзистор вспышки имеет маркировку на корпусе 8G133.
GT8G133 - N-канальный кремниевый биполярный транзистор с изолированным затвором БТИЗ (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Toshiba.
Основные характеристики транзистора GT8G133:
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер V CE : 400 Вольт
Максимально допустимый ток коллектора (импульсный) I CP : 150 Ампер
Минимальное напряжение управление V GE : 4 Вольта
Возможно Вас заинтересует:
запчасти для внешних вспышек