Транзистор вспышки GT8G133
150 руб
Нет в наличии
IGBT GT8G133 транзистор для встроенных вспышек цифровых фотоаппаратов и зеркальных фотокамер. Транзистор вспышки имеет маркировку на корпусе 8G133.
GT8G133 - N-канальный кремниевый биполярный транзистор с изолированным затвором БТИЗ (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Toshiba.
Основные характеристики транзистора GT8G133:
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE: 400 Вольт
- Максимально допустимый ток коллектора (импульсный) ICP: 150 Ампер
- Минимальное напряжение управление VGE: 4 Вольта
Возможно Вас заинтересует:
запчасти для внешних вспышек