IGBT биполярный транзистор с изолированным затвором
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) или IGBT от английского Insulated-gate bipolar transistor — прибор совмещающий в одном корпусе два электронных компонента - полевой и биполярный транзисторы.
Рис. 2 Схематическое обозначение IGBT и упрощенная эквивалентная схема
По своей структуре igbt представляет собой составной транзистор включенный по каскадной схеме. Схематическое обозначение IGBT показано на рисунке 2 справа. Транзистор имеет три вывода: G – "затвор", C – "коллектор", E – "эмиттер". Входная часть транзистора изображается как вход МОП - транзистора с индуцированным каналом, выходная часть как выход биполярного p-n-p транзистора. Упрощенная эквивалентная схема IGBT показана на рисунке 2 слева. Интересно, что "коллектору" IGBT соответствует «эмиттер» выходного биполярного p-n-p транзистора, а "эмиттеру" наоборот "коллектору".
Такое составное включение двух электронных ключей: входной ключ на низковольтном полевом транзисторе управляет мощным оконечным ключом на высоковольтном биполярном транзисторе, позволило объединить преимущества обеих типов полупроводниковых приборов в одном корпусе.
IGBT сочетает преимущества полевых и биполярных транзисторов:
- высокое входное сопротивление, малый ток управления — от полевых транзисторов с изолированным затвором (МОП)
- низкое значение остаточного напряжения во включенном состоянии — от биполярных транзисторов.
- малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;
- характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
- управление не током, а напряжением как у МОП.
Основное применение IGBT транзисторов
IGBT применяют при работе с высокими напряжениями - более 1000 Вольт, высокой температурой - более 100 °C и высокой выходной мощностью - более 5 кВт.
Основное применение IGBT транзисторов — это импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы, инверторы.
Широкое применение igbt транзисторы нашли в схемах управления импульсной лампы во внешних вспышках для зеркальных фотоаппаратов, управлении мощным электроприводом, в источниках сварочного тока, источниках бесперебойного питания и т.д.
Пример реализации схемы управления импульсной лампой во внешней вспышке Nissin Di 866 на igbt транзисторе RJP4301 купить который можно в нашем магазине.