IGBT транзистор AP25G45GEM для встроенных вспышек

N-канальный IGBT транзистор AP25G45GEM, основные характеристики:

• Тип корпуса: SO-8
• Vces: 450 V
• Icm: 150 A
• Drive voltage (напряжение управления): 4.5 V

Типовая схема включения igbt транзистора ap25g45gem

AP25G45GEM используется во встроенных вспышках цифровых фотоаппаратов.

Каталог электронных компонентов для ремонта встроенных вспышек интернет-магазина in-commerce.ru