Транзистор IPP041N12N3

Полевой N-канальный МОП транзистор ipp041n12n3 выпускаются с маркировкой на корпусе 041N12N. Транзисторы используются в студийных вспышках (моноблоках) и в др. осветительном оборудовании для фотостудий.

Основные характеристики MOSfet транзистора ipp041n12n3

• Структура: N Канал
• Непрерывный ток стока: 120А
• Напряжение истока-стока Vds: 120В
• Сопротивление во включенном состоянии Rds (on): 0.0035 Ом
• Напряжение измерения Rds (on): 10В
• Пороговое напряжение: Vgs 3В
• Рассеиваемая мощность: 300Вт
• Производитель: Infineon Technologies