Транзистор вспышки GT8G133

IGBT GT8G133 транзистор для встроенных вспышек цифровых фотоаппаратов и зеркальных фотокамер. Транзистор вспышки имеет маркировку на корпусе 8G133.

GT8G133 - N-канальный кремниевый биполярный транзистор с изолированным затвором БТИЗ (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Toshiba.

Основные характеристики транзистора GT8G133:

• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер V_CE: 400 Вольт
• Максимально допустимый ток коллектора (импульсный) I_CP: 150 Ампер
• Минимальное напряжение управление V_GE: 4 Вольта

Возможно Вас заинтересует:
запчасти для внешних вспышек